BSP296E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：700毫歐@1.1A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.8V@400µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17.2nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：364pF@25V功率-最大值：1.79W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
